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SLM2003E

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申（shēn）请

SLM2003E Datasheet

产品概述

产品特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2003E 是一款高压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高压集（jí）成电路和（hé）锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可（kě）提供可靠的单（dān）芯片驱（qū）动方案。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配置的（de）N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负（fù）电压（yā），不受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电流（liú）：290 mA/600 mA

防（fáng）止交叉导（dǎo）通逻辑

两（liǎng）通道间（jiān）匹配（pèi）传输延（yán）迟

输出信号与输入信（xìn）号（hào）同相

通过无铅认证