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SLM2005E

200V低压（yā）驱动芯片

样片申（shēn）请（qǐng）

SLM2005E Datasheet

产品概述（shù）

产品特性

安规认证

典型（xíng）应用图

产品概述

SLM2005E 是一款高压、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和（hé）锁存（cún）免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动（dòng）方案。逻辑（jí）输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输（shū）出驱动器具有高脉（mò）冲电（diàn）流缓冲（chōng）级，以减小驱动器交（jiāo）叉（chā）导通（tōng）。浮（fú）动通（tōng）道可用于（yú）驱动高边配（pèi）置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自（zì）举操作设（shè）计的（de）浮动（dòng）通道

完全（quán）运行时电压高达（dá） 200V

容（róng）许瞬（shùn）间负电压，不（bú）受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入（rù）兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间（jiān）匹（pǐ）配传输延迟

输（shū）出（chū）信（xìn）号与（yǔ）输入信号同相

通过无铅（qiān）认证