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SLM2009

200V低（dī）压驱动芯片

样片申请

SLM2009 Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型（xíng）应用（yòng）图

产品概述（shù）

SLM2009 是（shì）一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑（jí）输（shū）入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以（yǐ）减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可（kě）用于驱动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达（dá）200V。

产品特（tè）性

为（wéi）自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容（róng）许瞬间负电（diàn）压，不受（shòu） dV/dt 影（yǐng）响

驱动（dòng）电源（yuán）范（fàn）围从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输延迟

输出信号与输（shū）入信号（hào）同相

通过无（wú）铅认（rèn）证