SLM27511器件是（shì）单（dān）通道高速低边（biān）门（mén）极驱动器，可有效（xiào）驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SLM27511采用（yòng）一种能够从（cóng）内部极大的降低直（zhí）通电流的设计（jì），将高峰值的源电（diàn）流和灌电流脉冲（chōng）提供给（gěi）电容负载，以实现轨到（dào）轨的驱动能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟（chí）。
SLM27511在12V的VDD供电情况（kuàng）下，能够提供4A的峰值源电流和5A的（de）峰（fēng）值灌电流。
低（dī）成本的门极驱动方案可用（yòng）于替代 NPN和 PNP 分离器（qì）件方（fāng）案（àn）
4A 的峰值源电流和5A的峰值灌电流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升和下降时间（jiān）（典型值为（wéi） 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电（diàn）源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电（diàn）压阈值
双输入设计(可选择反（fǎn）相或非反相（xiàng）驱动配置)
输（shū）入浮空时（shí）输出保持（chí）为低
工作温度（dù）范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选（xuǎn）项
400 080 9938
