九游平台-九游(中国)一站式服务平台

SiLM2014A

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认（rèn）证

典型（xíng）应（yīng）用（yòng）图

产（chǎn）品概述

SiLM2014A 是一款高压（yā）、高速（sù）的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的（de）高压集成（chéng）电路和锁存免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单芯片驱动方（fāng）案。逻辑输入电平（píng）与（yǔ）标（biāo）准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低（dī）支（zhī）持3.3V逻辑（jí）。输出驱（qū）动器（qì）具有高脉（mò）冲电（diàn）流缓冲级，以减小驱动器交叉导（dǎo）通。浮（fú）动通道可用（yòng）于驱动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设计（jì）的浮动通道

完（wán）全运行时电压高达 200V

容（róng）许瞬（shùn）间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱动电流（liú）：1A/1.5A

防止交叉导通逻（luó）辑

两通道（dào）间匹配传输延迟

输（shū）出信号与输入信（xìn）号同相（xiàng）

通过无铅认证（zhèng）