SiLM2660/61是用（yòng）于电池充电/放电（diàn）系统控（kòng）制的低功耗、高（gāo）边（biān）N沟道FET驱动器（qì）。高边保护（hù）功能（néng）可（kě）避免系统的接地引脚断开连接，以确（què）保电（diàn）池（chí）组和主机系统之（zhī）间的持续通信（xìn）。SiLM2660具有额（é）外的PFET控（kòng）制输出，以允许（xǔ）对深度放电的电池进行（háng）低电流预充电，并且（qiě）还（hái）集成了（le）用于主机监控的电池PACK+电压检测。
独立的使能输入接口允许电池充电和（hé）放（fàng）电（diàn）FET分（fèn）别导通和关断，为电池系统保（bǎo）护（hù）提供可靠性和设计灵活性。
高边NFET驱动（dòng）器，具有极短的开（kāi）启和关闭时间，用于迅速保护（hù）电池。
预充电PFET驱动器为深度（dù）耗尽（jìn）的电池组提（tí）供电流限（xiàn）制（zhì）的预充电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电和放（fàng）电的（de）独立使能控制。
基于外部电容器可（kě）扩展的（de）电荷泵，可适用多颗NFET并联驱动。
高的输（shū）入耐压值（zhí）（最大100V）。
可（kě）配置的电池组电压检测功（gōng）能（仅适（shì）用于SiLM2660）。
支持可配置的（de）通用和独立充电（diàn）和放电路径（jìng）管理。
低（dī）功耗：正常（cháng）模式：40uA；待机（jī）模式（shì）：小于10uA。
400 080 9938
