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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱（qū）动器

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概述（shù）

SiLM27511H系列是单通道高欠压保护低边门极驱动（dòng）器，可有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等（děng）功率开关。SiLM27511H 采用（yòng）一种能够从内（nèi）部极（jí）大的降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负（fù）载，以实现（xiàn）轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的（de）极小传播延迟。

SiLM27511H 在（zài） 15V 的 VDD 供（gòng）电情况下，能够提供 4A 的（de）峰值源电流（liú）和 5A 的（de）峰值灌电流（liú）。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品（pǐn）特（tè）性

低成本的门（mén）极驱动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力

快（kuài）速（sù）的传播（bō）延时（典型值为 18ns）

快速（sù）的上升和下降时间（典（diǎn）型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁（suǒ）定保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输（shū）入（rù）逻（luó）辑电压（yā）阈值（zhí）

双输入设计(可选（xuǎn）择反相或（huò）非反（fǎn）相（xiàng）驱（qū）动配置)

输入浮（fú）空（kōng）时（shí）输出保持（chí）为（wéi）低

工（gōng）作温度（dù）范围为 -40°C 到 140°C