SiLM27512器件是单通道（dào）高速（sù）低边门极驱动器（qì），可有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27512采用（yòng）一种能够从内部极大的降低（dī）直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌（guàn）电流脉冲提供给电容负载，以实（shí）现轨到轨的驱（qū）动能力（lì）和典型（xíng）值（zhí）仅为（wéi） 18ns 的极（jí）小传播（bō）延迟（chí）。
SiLM27512在12V的（de）VDD供电（diàn）情况下，能够（gòu）提供4A的（de）峰值源电流和5A的峰值灌电流。
低成（chéng）本的门极驱动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源（yuán）电（diàn）流（liú）和5A的峰值灌（guàn）电流能力
快（kuài）速的传输延时（典型值为（wéi） 18ns）
快速的上升和下降时（shí）间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠（qiàn）压闭锁（suǒ）功能
兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电（diàn）压阈（yù）值
双输入设计(可选择反（fǎn）相（xiàng）或非反相驱动配（pèi）置)
输入浮空时输出（chū）保持（chí）为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选（xuǎn）项
400 080 9938
