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SiLM27517H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器

样片申请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品概（gài）述

产品（pǐn）特性

安（ān）规（guī）认（rèn）证

典型（xíng）应用图

产品概述

SiLM27517H 系列是单通（tōng）道高欠压保护（hù）低边门极驱（qū）动器（qì），可有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采用一（yī）种能够从（cóng）内（nèi）部（bù）极大的降低直通电流的设计，将高峰（fēng）值的源电（diàn）流（liú）和灌电流（liú）脉冲提供给电容负载（zǎi），以实现轨到轨（guǐ）的驱动能力和（hé）典型值仅为（wéi） 18ns 的极（jí）小传播延迟（chí）。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够（gòu）提供 4A 的峰值（zhí）源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流。SiLM27517H 欠压锁定保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性（xìng）

低成本的门极（jí）驱动方（fāng）案（àn）可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰（fēng）值源电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流能力

快（kuài）速的传播延（yán）时（典（diǎn）型值为 18ns）

快速（sù）的（de）上升和下降时间（典型（xíng）值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范（fàn）围

SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输入设计(可（kě）选择反相或非反相驱动配（pèi）置)

输入浮（fú）空时（shí）输出（chū）保持为低

工作温度范围为 -40°C 到 140°C