SiLM6201是一款集成（chéng）了功率MOS对管（guǎn）的推挽电（diàn）源（yuán）控制器（qì）。内部功率MOS管的（de）驱动（dòng）对（duì）称程度高，从而减小推挽（wǎn）拓扑的（de）偏磁（cí）程度。

该芯片还集成（chéng）了三项提高可靠性（xìng）的（de）关键技（jì）术，第一是软启动（dòng）功能，避（bì）免开机时大电流（liú）的冲击而损（sǔn）坏（huài）器（qì）件，并且（qiě）保（bǎo）证（zhèng）在CC负载（zǎi）模式（shì）下带满（mǎn）载（zǎi）正常启动；第二是集成了输（shū）出短路保护，该保护一致性好，不受电源加工时参数偏差（chà）的影响，也不（bú）受高低（dī）温测（cè）试条件的影响；第三是过温保（bǎo）护，超出（chū）规定的温度范围时，芯片自（zì）动（dòng）进入休眠状态，若温度再（zài）次降低到设定值时可（kě）自动恢（huī）复。